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减少MOS场效应管损耗的方法
- 2020-10-19-

  减少MOS场效应管损耗的方法

  减小开关损耗一方面要尽或许地制造出具有理想开关特性的器材,另一方面利用新的线路技能改变器材开关时期的波形,如:晶体管缓冲电路,谐振电路,和软开关技能等。

  (1)晶体管缓冲电路(即加吸收网络技能)

  早期电源多选用此线路技能。选用此电路,功率损耗虽有所减小,但仍不是很理想。①减少导通损耗在变压器次级线圈后面加饱满电感,加反向恢复时间快的二极管,利用饱满电感阻止电流改变的特性,限制电流上升的速率,使电流与电压的波形尽或许小地重叠。②减少截止损耗加R、C吸收网络,推迟变压器反激电压发生时间,较好在电流为0时产生反激电压,此时功率损耗为0。该电路利用电容上电压不能骤变的特性,推迟反激电压发生时间。为了添加可靠性,也可在功率管上加R、C。可是此电路有明显缺陷:因为电阻的存在,导致吸收网络有损耗。

  (2)谐振电路

  该电路只改变开关瞬间电流波形,不改变导通时电流波形。只需选择好合适的L、C,结合二极管结电容和变压器漏感,就能保证电压为0时,开关管导通或截止。因此,选用谐振技能可使开关损耗很小。所以,SWITCHTEC电源开关频率能够做到术结构380kHz的高频率。

  (3)软开关技能

  该电路是在全桥逆变电路中参加电容和二极管。二极管在开关管导通时起钳位效果,并构成泻放回路,泻放电流。电容在反激电压效果下,电容被充电,电压不能突然添加,当电压比较大的时侯,电流已经为0。